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SUM85N03-06P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
2.0
1.6
1.2
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 20 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
10
0.8
0.4
0.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
40
38
36
34
32
30
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J ? Junction Temperature ( _ C)
www.vishay.com
4
Document Number: 71903
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03
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